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Intel Lakefield SoC将直接整合内存,由Foveros 3D工
更新时间:2019-02-28

Intel在去年12月的“架构日”活动上颁布了名为“Foveros”的全新3D封装技能,该技术首次引入了3D堆叠的优势,可实当初逻辑芯片上重叠逻辑芯片,当时Intel展出利用该技巧制造的Hybrid x86 CPU,也公布了一些规格细节,但对此工艺并不说太多。

10nm工艺的打算芯片包括一个Sunny Cove大核,该核心领有自己的L2缓存,不过它核心外还有0.5MB的MLC中等级缓存,四个Tremont小核,它们共享1.5M L2缓存,所有中心共享4MB的LLC缓存,内存操纵器是4*16位的,支持LPDDR4,整合了Gen 11核显,有64个EU单元,Gen 11.5显示控制器还有新的IPU,支撑DP 1.4。

当初Intel在油管上放出了采用Foveros 3D封装工艺所生产的Lakefield SoC的介绍视频,从视频上可能看出这个SoC至少包含四个层,前两层是由PoP封装的DRAM内存所组成,由两块BGA DRAM重叠在一起,第三层则是由10nm工艺打造的CPU与GPU,最底层则是由22nm工艺打造的I/O与缓存层。